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BNAZC199-04S
IC

SOT-23-6

可供量大可议

BNAZC199-04S

ESD保护二极管, 采用固态硅雪崩技术, 具有低钳位电压、低漏电流和低电容特性, 可保护单条数据/电源线

品牌

BORN

封装

SOT-23-6

库存

1,630

货期

现货

BNAZC199-04S参数

封装SOT-23-6
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1630

BNAZC199-04S概述

ESD保护二极管, 采用固态硅雪崩技术, 具有低钳位电压、低漏电流和低电容特性, 可保护单条数据/电源线

BNAZC199-04S特性

暂无产品特性。

BNAZC199-04S应用领域

暂无应用领域。

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