BNAZ1045-04F
IC
DFN-10(2.5x1.0)
可供量大可议
BNAZ1045-04F
特性：52 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.3pF 典型值， I/O 到 I/O)。 应用：USB3.0, USB2.0, Ethernet。 HDMI 1.4, Displayport 1.3, eSATA
品牌
BORN
封装
DFN-10(2.5x1.0)
库存
1,250
货期
现货
BNAZ1045-04F参数
| 封装 | DFN-10(2.5x1.0) |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1250 |
BNAZ1045-04F概述
特性：52 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.3pF 典型值， I/O 到 I/O)。 应用：USB3.0, USB2.0, Ethernet。 HDMI 1.4, Displayport 1.3, eSATA
BNAZ1045-04F特性
暂无产品特性。
BNAZ1045-04F应用领域
暂无应用领域。