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BMSN3139
IC

SOT-323

可供量大可议

BMSN3139

场效应管(MOSFET) 135mΩ@4.5V, 2A 20V 2A 1个P沟道

品牌

BORN

封装

SOT-323

库存

15,313

货期

现货

BMSN3139参数

封装SOT-323
品牌BORN(伯恩半导体)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))190mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.1V
反向传输电容(Crss)55pF
输出电容(Coss)75pF
分类场效应管(MOSFET)
库存15,313
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)300mW
输入电容(Ciss)405pF
类型P沟道

BMSN3139概述

场效应管(MOSFET) 135mΩ@4.5V, 2A 20V 2A 1个P沟道

BMSN3139特性

暂无产品特性。

BMSN3139应用领域

暂无应用领域。

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