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BMQ03N530
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

BMQ03N530

N沟道增强型MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低栅极电荷和良好稳定性

品牌

BORN

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

2,780

货期

现货

BMQ03N530参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2780

BMQ03N530概述

N沟道增强型MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低栅极电荷和良好稳定性

BMQ03N530特性

暂无产品特性。

BMQ03N530应用领域

暂无应用领域。

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