BMI10N881
IC
TO-252-2
可供量大可议
BMI10N881
特性：VBR(DSS) = 100V。 ID = 15A。 RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 应用：功率开关应用。 MB/VGA Vcore
品牌
BORN
封装
TO-252-2
库存
4,925
货期
现货
BMI10N881参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4925 |
BMI10N881概述
特性：VBR(DSS) = 100V。 ID = 15A。 RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 应用：功率开关应用。 MB/VGA Vcore
BMI10N881特性
暂无产品特性。
BMI10N881应用领域
暂无应用领域。