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BMI06P331
IC

TO-252-2

可供量大可议

BMI06P331

P沟道MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOSFET技术, 低导通电阻和品质因数, 极低开关损耗, 稳定性和均匀性好

品牌

BORN

封装

TO-252-2

库存

30

货期

现货

BMI06P331参数

封装TO-252-2
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存30

BMI06P331概述

P沟道MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOSFET技术, 低导通电阻和品质因数, 极低开关损耗, 稳定性和均匀性好

BMI06P331特性

暂无产品特性。

BMI06P331应用领域

暂无应用领域。

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