BMI02N400
IC
TO-252-2
可供量大可议
BMI02N400
特性：V(BR)DSS = 20V， ID = 80A。 极低的RDS(on)， RDS(on)@VGS = 4.5V， 典型值为3mΩ。 良好的稳定性和均匀性。 良好散热的优秀封装。 先进的沟槽技术。 低栅极电荷。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
BORN
封装
TO-252-2
库存
2,455
货期
现货
BMI02N400参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2455 |
BMI02N400概述
特性：V(BR)DSS = 20V， ID = 80A。 极低的RDS(on)， RDS(on)@VGS = 4.5V， 典型值为3mΩ。 良好的稳定性和均匀性。 良好散热的优秀封装。 先进的沟槽技术。 低栅极电荷。 应用：负载开关。 PWM应用
BMI02N400特性
暂无产品特性。
BMI02N400应用领域
暂无应用领域。