BMD65N380C1
IC
TO-252
可供量大可议
BMD65N380C1
采用先进超结技术的功率MOSFET， 具有超低导通电阻和栅极电荷、超快体二极管、低损耗和高换向耐用性
品牌
Bestirpower
封装
TO-252
库存
108
货期
现货
BMD65N380C1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Bestirpower(萃锦半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 108 |
BMD65N380C1概述
采用先进超结技术的功率MOSFET， 具有超低导通电阻和栅极电荷、超快体二极管、低损耗和高换向耐用性
BMD65N380C1特性
暂无产品特性。
BMD65N380C1应用领域
暂无应用领域。