BM3G007MUV-LBE2

提供了一种适用于所有需要高功率密度和效率的电子系统的最佳解决方案。 通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到罗姆原有的封装中， 与传统的分立解决方案相比， 显著降低了由PCB和引线键合引起的寄生电感。 因此， 可以实现高达150V/ns的高开关转换率。 另一方面， 可调的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰， 各种保护和其他附加功能提供了优化的成本和PCB尺寸。 该IC设计用于适配主要的现有控制器， 因此也可用于替代传统的分立功率开关， 如超结MOSFET。