BM3415E
IC
SOT-23
可供量大可议
BM3415E
特性：低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 3.3V逻辑电平控制。 P沟道SOT23封装。 HMB ESD保护2KV。 无铅， 符合RoHS标准。 应用：负载开关。 开关电路
品牌
BORN
封装
SOT-23
库存
11,260
货期
现货
BM3415E参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11260 |
BM3415E概述
特性：低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 3.3V逻辑电平控制。 P沟道SOT23封装。 HMB ESD保护2KV。 无铅， 符合RoHS标准。 应用：负载开关。 开关电路
BM3415E特性
暂无产品特性。
BM3415E应用领域
暂无应用领域。