BM3134E
IC
SOT-23
可供量大可议
BM3134E
特性：VDS = 20V。 ID = 0.5A。 RDS(ON)@VGS = 4.5V, TYP = 220mΩ。 RDS(ON)@VGS = 2.5V, TYP = 290mΩ。 无铅产品。 先进沟槽工艺技术。 应用：负载/电源开关。 接口开关
品牌
BORN
封装
SOT-23
库存
5,320
货期
现货
BM3134E参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5320 |
BM3134E概述
特性：VDS = 20V。 ID = 0.5A。 RDS(ON)@VGS = 4.5V, TYP = 220mΩ。 RDS(ON)@VGS = 2.5V, TYP = 290mΩ。 无铅产品。 先进沟槽工艺技术。 应用：负载/电源开关。 接口开关
BM3134E特性
暂无产品特性。
BM3134E应用领域
暂无应用领域。