BM20P12A
IC
DFN2x2-6L
可供量大可议
BM20P12A
BM20P12A采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和高密单元设计， 以实现超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
BORN
封装
DFN2x2-6L
库存
2,845
货期
现货
BM20P12A参数
| 封装 | DFN2x2-6L |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2845 |
BM20P12A概述
BM20P12A采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和高密单元设计， 以实现超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
BM20P12A特性
暂无产品特性。
BM20P12A应用领域
暂无应用领域。