BLP05N08G-B
IC
TO-263
可供量大可议
BLP05N08G-B
BLP05N08G 是 N 沟道增强型功率 MOSFET， 采用先进的双沟槽技术制造， 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
品牌
BL
封装
TO-263
库存
718
货期
现货
BLP05N08G-B参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 718 |
BLP05N08G-B概述
BLP05N08G 是 N 沟道增强型功率 MOSFET， 采用先进的双沟槽技术制造， 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
BLP05N08G-B特性
暂无产品特性。
BLP05N08G-B应用领域
暂无应用领域。