BLP045N10-P
IC
TO-220
可供量大可议
BLP045N10-P
N沟道增强型功率MOSFET， 采用先进的双沟槽技术， 可降低传导损耗， 提高开关性能， 增强雪崩能量。 适用于电机驱动器和电池管理系统。
品牌
BL
封装
TO-220
库存
430
货期
现货
BLP045N10-P参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 430 |
BLP045N10-P概述
N沟道增强型功率MOSFET， 采用先进的双沟槽技术， 可降低传导损耗， 提高开关性能， 增强雪崩能量。 适用于电机驱动器和电池管理系统。
BLP045N10-P特性
暂无产品特性。
BLP045N10-P应用领域
暂无应用领域。