BLP024N10-T
IC
TOLL-8
可供量大可议
BLP024N10-T
N 沟道增强型功率 MOSFET， 采用先进的双沟槽 II 技术， 可降低传导损耗， 提高开关性能， 增强雪崩能量。 适用于电池管理系统 (BMS) 和大电流开关应用。
品牌
BL
封装
TOLL-8
库存
3,505
货期
现货
BLP024N10-T参数
| 封装 | TOLL-8 |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3505 |
BLP024N10-T概述
N 沟道增强型功率 MOSFET， 采用先进的双沟槽 II 技术， 可降低传导损耗， 提高开关性能， 增强雪崩能量。 适用于电池管理系统 (BMS) 和大电流开关应用。
BLP024N10-T特性
暂无产品特性。
BLP024N10-T应用领域
暂无应用领域。