BLP023N10-T
IC
TOLL-8L
可供量大可议
BLP023N10-T
BLP023N10是N沟道增强型功率MOSFET， 采用先进的双沟槽技术制造， 该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
品牌
BL
封装
TOLL-8L
库存
2,125
货期
现货
BLP023N10-T参数
| 封装 | TOLL-8L |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2125 |
BLP023N10-T概述
BLP023N10是N沟道增强型功率MOSFET， 采用先进的双沟槽技术制造， 该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
BLP023N10-T特性
暂无产品特性。
BLP023N10-T应用领域
暂无应用领域。