BLM18DN151SN1D
IC
0603
可供量大可议
BLM18DN151SN1D
特性：适用于宽频率范围的高频噪声抑制的片式铁氧体磁珠。 1GHz 或更高频率下的高阻抗特性。 在 100MHz 至 6GHz 的宽频带范围内具有高阻抗特性。 低直流电阻， 可实现大额定电流。 应用：高速 CPU 和高速总线的 PC 以及外围设备接口线的噪声抑制。 数百 MHz 或更高时钟速度的数字设备的高次谐波噪声抑制
品牌
muRata
封装
0603
库存
5,295
货期
现货
BLM18DN151SN1D参数
| 封装 | 0603 |
|---|---|
| 品牌 | muRata(村田) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 误差 | ±25% |
| 额定电流 | 1.4A |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
| 商品型号 | BLM18DN151SN1D |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.485e-05 |
| 分类 | 磁珠 |
|---|---|
| 库存 | 5295 |
| 阻抗@频率 | 150Ω@100MHz |
| 直流电阻(DCR) | 120mΩ |
| 通道数 | 1 |
| 商品名称 | 1 150Ω@100MHz |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 磁珠 |
BLM18DN151SN1D概述
特性：适用于宽频率范围的高频噪声抑制的片式铁氧体磁珠。 1GHz 或更高频率下的高阻抗特性。 在 100MHz 至 6GHz 的宽频带范围内具有高阻抗特性。 低直流电阻， 可实现大额定电流。 应用：高速 CPU 和高速总线的 PC 以及外围设备接口线的噪声抑制。 数百 MHz 或更高时钟速度的数字设备的高次谐波噪声抑制
BLM18DN151SN1D特性
暂无产品特性。
BLM18DN151SN1D应用领域
暂无应用领域。