BLM10P03-D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
BLM10P03-D
BLM10P03采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻[RDS(ON)]和低栅极电荷。 它可用于多种应用场景。
品牌
BL
封装
TO-252-2L
库存
2,435
货期
现货
BLM10P03-D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2435 |
BLM10P03-D概述
BLM10P03采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻[RDS(ON)]和低栅极电荷。 它可用于多种应用场景。
BLM10P03-D特性
暂无产品特性。
BLM10P03-D应用领域
暂无应用领域。