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BLM03HG601SN1D
自营可供
IC

0201

BLM03HG601SN1D

磁珠 600Ω@100MHz 1.6Ω ±25% 150mA

品牌

muRata

封装

0201

交期

现货

批次

两年内

BLM03HG601SN1D参数

封装0201
品牌muRata(村田)
批次两年内
阻抗@频率600Ω@100MHz
直流电阻(DCR)1.6Ω
通道数1
商品名称单路 0201磁珠 阻抗600Ω@100MHz
包装方式编带
商品类型磁珠
分类磁珠
库存35,098
MOQ / SPQ1 / 1
误差±25%
额定电流150mA
工作温度-55℃~+125℃
商品型号BLM03HG601SN1D
单位个
商品重量8e-06

BLM03HG601SN1D概述

磁珠 600Ω@100MHz 1.6Ω ±25% 150mA

BLM03HG601SN1D特性

  • 器件类型:磁珠(单通道)
  • 品牌:muRata(村田)
  • 封装:0201(尺寸极小, 适合高密度布局)
  • 阻抗:600 Ω @ 100 MHz
  • 直流电阻(DCR):约 1.6 Ω(±25%)
  • 额定电流:150 mA
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 阻值公差:±25%
  • 典型功能:高频噪声抑制, 降低 EMI、改善信号完整性

BLM03HG601SN1D应用领域

  • 移动终端与可穿戴设备:受限空间和重量要求下的电源或信号线滤波
  • 高速数字电路:抑制钟摆噪声与数字切换产生的高频干扰
  • 通信设备与射频前端:在非关键射频路径上阻隔共模/差模噪声
  • 汽车电子与工业控制(在满足额定电流与环境要求范围内使用)
  • EMI 合规设计中作为器件级噪声源抑制措施, 与去耦电容配合形成低通滤波效果

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