BLM03AG241SN1D
自营可供
IC
0.6*0.3mm
BLM03AG241SN1D
磁珠 240Ω@100MHz 800mΩ ±25% 200mA
品牌
muRata
封装
0.6*0.3mm
交期
现货
批次
25+
BLM03AG241SN1D参数
| 封装 | 0.6*0.3mm |
|---|---|
| 品牌 | muRata(村田) |
| 批次 | 25+ |
| 阻抗@频率 | 240Ω@100MHz |
| 直流电阻(DCR) | 800mΩ |
| 通道数 | 1 |
| 商品名称 | 单路 0201磁珠 阻抗240Ω@100MHz |
| 封装 | 0201 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8e-06 |
| 分类 | 磁珠 |
|---|---|
| 库存 | 15,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 误差 | ±25% |
| 额定电流 | 200mA |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
| 商品型号 | BLM03AG241SN1D |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 磁珠 |
BLM03AG241SN1D概述
磁珠 240Ω@100MHz 800mΩ ±25% 200mA
BLM03AG241SN1D特性
- 磁珠的核心价值在于 高频干扰抑制与直流信号无损传输的平衡， BLM03AG241SN1D在这方面表现突出
- 精准阻抗匹配：240Ω的阻抗值针对100MHz频段优化， 该频段是射频电路（如蓝牙、WiFi）的常见杂散干扰区域， 磁珠可有效吸收该频段的干扰能量， 避免干扰信号耦合至敏感电路
- ±25%的公差符合EMI元件的行业常规要求， 且村田的生产工艺保证了参数一致性。
- 低直流损耗：800mΩ的DCR在200mA额定电流下， 仅产生0.16V的直流压降， 远低于电路信号电平阈值， 不会影响直流偏置或信号完整性， 适合对电源/信号压降敏感的低功耗电路。
- 电流承载能力：200mA的额定电流覆盖了大多数小型电子设备的直流电流需求（如可穿戴设备、物联网传感器）， 避免过流导致磁珠磁饱和或发热烧毁， 保障电路长期稳定工作。
- BLM03AG241SN1D采用0.6mm×0.3mm的超小型片式封装（对应英制0302封装）， 具备显著的工艺与集成优势
- 高密度适配：体积仅为常规0402封装（1.0mm×0.5mm）的约36%， 可大幅节省PCB空间， 尤其适合智能手机、智能手表等对体积要求苛刻的便携设备
- 兼容标准SMT工艺：无引线表面贴装设计， 可直接通过回流焊、波峰焊等常规工艺贴装， 无需特殊设备， 降低生产复杂度与成本
- 轻量化设计：重量仅约几毫克， 对设备整体重量影响可忽略， 适配可穿戴、无人机等对重量敏感的产品。
BLM03AG241SN1D应用领域
- BLM03AG241SN1D的特性使其广泛应用于以下场景
- 消费电子：智能手机、平板电脑的射频前端模块、音频电路（抑制100MHz附近杂散干扰）
- 可穿戴设备：智能手表、手环的传感器模块、蓝牙模块（小体积+低功耗需求）
- 车载电子：胎压监测（TPMS）传感器、车载信息娱乐系统的低功耗模块（宽温需求）
- 物联网设备：低功耗蓝牙（BLE）节点、环境传感器（如温湿度传感器）（小电流+高密度）
- 工业控制：小型PLC的输入输出模块、工业传感器节点（宽温+可靠性）。