BL851S
IC
SMD-4L
可供量大可议
BL851S
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA， VCE = 5V时为50~600%。 输入输出间高隔离电压：Viso = 5000V rms。 集电极-发射极击穿电压：BVCEO ≥ 350V。 工作温度：-55℃ ~ 100℃。 应用：开关电源、智能电表。 工业控制、测量仪器
品牌
GME
封装
SMD-4L
库存
1,995
货期
现货
BL851S参数
| 封装 | SMD-4L |
|---|---|
| 品牌 | GME(银河微电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1995 |
BL851S概述
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA， VCE = 5V时为50~600%。 输入输出间高隔离电压：Viso = 5000V rms。 集电极-发射极击穿电压：BVCEO ≥ 350V。 工作温度：-55℃ ~ 100℃。 应用：开关电源、智能电表。 工业控制、测量仪器
BL851S特性
暂无产品特性。
BL851S应用领域
暂无应用领域。