BL817MX
IC
DIP-4L
可供量大可议
BL817MX
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA， VCE = 5V时为50%-600%。 输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C-110°C。 通过VDE认证。 通过UL认证。 应用：可编程控制器。 系统电器、测量仪器
品牌
GME
封装
DIP-4L
库存
2,500
货期
现货
BL817MX参数
| 封装 | DIP-4L |
|---|---|
| 品牌 | GME(银河微电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
BL817MX概述
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA， VCE = 5V时为50%-600%。 输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C-110°C。 通过VDE认证。 通过UL认证。 应用：可编程控制器。 系统电器、测量仪器
BL817MX特性
暂无产品特性。
BL817MX应用领域
暂无应用领域。