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BL814B
IC

DIP-4L

可供量大可议

BL814B

特性:电流传输比(CTR):在IF = ±1mA, VCE = 5V时为20~300%。 输入输出间高隔离电压(Viso):5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度:-55°C ~ 110°C。 应用:开关电源、智能电表。 工业控制、测量仪器

品牌

GME

封装

DIP-4L

库存

2,490

货期

现货

BL814B参数

封装DIP-4L
品牌GME(银河微电)
MOQ / SPQ1 / 5
分类晶体管输出光耦
库存2490

BL814B概述

特性:电流传输比(CTR):在IF = ±1mA, VCE = 5V时为20~300%。 输入输出间高隔离电压(Viso):5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度:-55°C ~ 110°C。 应用:开关电源、智能电表。 工业控制、测量仪器

BL814B特性

暂无产品特性。

BL814B应用领域

暂无应用领域。

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