BL4N90-P
IC
TO-220
可供量大可议
BL4N90-P
BL4N90是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用。
品牌
BL
封装
TO-220
库存
101
货期
现货
BL4N90-P参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 101 |
BL4N90-P概述
BL4N90是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用。
BL4N90-P特性
暂无产品特性。
BL4N90-P应用领域
暂无应用领域。