BL3N150-B
IC
TO-263
可供量大可议
BL3N150-B
BL3N150是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用。
品牌
BL
封装
TO-263
库存
3,544
货期
现货
BL3N150-B参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | BL(上海贝岭) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3544 |
BL3N150-B概述
BL3N150是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用。
BL3N150-B特性
暂无产品特性。
BL3N150-B应用领域
暂无应用领域。