BGSX44MU18E6327XUSA1

RF CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。 这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。 片上控制器允许电源电压为1.65至1.95V。 该开关具有直接连接电池的功能和无直流的RF端口。 与GaAs技术不同， 只有在外部施加直流电压时， 才需要在RF端口使用外部直流阻断电容。 该器件尺寸非常小， 仅为2.0mm×2.4mm， 厚度为0.63mm。