BGSX22G5A10E6327

专为 LTE 和 WCDMA 三天线应用而设计。 此双刀双掷开关（DPDT）在射频端口之间提供低插入损耗和低谐波生成， 并具有高隔离度。 通过 GPIO 接口控制开关。 片上控制器允许电源电压范围为 1.65V 至 3.4V。 该开关具有直接连接电池功能和无直流的射频端口。 与砷化镓技术不同， 仅当外部施加直流电压时， 才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。 采用英飞凌专利的 MOS 技术制造， 兼具砷化镓的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度， 包括固有的更高 ESD 鲁棒性。 尺寸非常小， 仅为 1.1×1.5 mm²， 最大厚度为 0.55 mm。