BGS15MU14E6327XTSA1

专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计， 在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。 它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。 片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。 与 GaAs 技术不同， 仅当外部施加直流电压时， 才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。 采用英飞凌专利的 MOS 技术制造， 兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度， 包括固有的更高 ESD 鲁棒性。 该器件尺寸非常小， 仅为 1.9×1.5 mm²， 最大厚度为 0.6 mm。