BGS12P2L6E6327

是一款通用射频MOS功率开关， 设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用， 主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。 芯片集成了片上CMOS逻辑， 由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。 与GaAs技术不同， 仅当外部施加直流电压时， 才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。 采用英飞凌专利的MOS技术制造， 兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性， 包括固有的更高ESD鲁棒性。 尺寸非常小， 仅为0.7×1.1 mm²， 最大高度为0.31 mm。