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BGS 13S4N9 E6327
IC

DFN-9(1.1x1.1)

可供量大可议

BGS 13S4N9 E6327

RF MOS开关专为手机和移动应用设计。 3个端口均可作为分集天线的端接, 可处理高达30 dBm的功率。 此SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力, 在端接模式下谐波产生低。 片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器, 由1.35V至VDD的控制输入驱动。 采用专利MOS技术制造, 兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性, 包括固有的更高ESD鲁棒性。 器件尺寸仅为1.1×1.1 mm², 最大高度为0.375 mm。 在典型应用中, 只要任何RF端口不施加直流, 就不需要去耦电容。

品牌

Infineon

封装

DFN-9(1.1x1.1)

库存

110

货期

现货

BGS 13S4N9 E6327参数

封装DFN-9(1.1x1.1)
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 5
分类射频开关
库存110

BGS 13S4N9 E6327概述

RF MOS开关专为手机和移动应用设计。 3个端口均可作为分集天线的端接, 可处理高达30 dBm的功率。 此SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力, 在端接模式下谐波产生低。 片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器, 由1.35V至VDD的控制输入驱动。 采用专利MOS技术制造, 兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性, 包括固有的更高ESD鲁棒性。 器件尺寸仅为1.1×1.1 mm², 最大高度为0.375 mm。 在典型应用中, 只要任何RF端口不施加直流, 就不需要去耦电容。

BGS 13S4N9 E6327特性

暂无产品特性。

BGS 13S4N9 E6327应用领域

暂无应用领域。

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