BGS 13S4N9 E6327
IC
DFN-9(1.1x1.1)
可供量大可议
BGS 13S4N9 E6327
RF MOS开关专为手机和移动应用设计。 3个端口均可作为分集天线的端接, 可处理高达30 dBm的功率。 此SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力, 在端接模式下谐波产生低。 片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器, 由1.35V至VDD的控制输入驱动。 采用专利MOS技术制造, 兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性, 包括固有的更高ESD鲁棒性。 器件尺寸仅为1.1×1.1 mm², 最大高度为0.375 mm。 在典型应用中, 只要任何RF端口不施加直流, 就不需要去耦电容。
品牌
Infineon
封装
DFN-9(1.1x1.1)
库存
110
货期
现货
BGS 13S4N9 E6327参数
| 封装 | DFN-9(1.1x1.1) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 射频开关 |
|---|---|
| 库存 | 110 |
BGS 13S4N9 E6327概述
RF MOS开关专为手机和移动应用设计。 3个端口均可作为分集天线的端接, 可处理高达30 dBm的功率。 此SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力, 在端接模式下谐波产生低。 片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器, 由1.35V至VDD的控制输入驱动。 采用专利MOS技术制造, 兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性, 包括固有的更高ESD鲁棒性。 器件尺寸仅为1.1×1.1 mm², 最大高度为0.375 mm。 在典型应用中, 只要任何RF端口不施加直流, 就不需要去耦电容。
BGS 13S4N9 E6327特性
暂无产品特性。
BGS 13S4N9 E6327应用领域
暂无应用领域。
