BGB741L7ESDE6327XTSA1
Available可供
IC
XFDFN-6-EP
BGB741L7ESDE6327XTSA1
The BGB741L7ESD is a high performance broadband low noise amplifier (LNA) MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) bipolar
Brand
Infineon
Package
XFDFN-6-EP
交期
现货
Date Code
25+
BGB741L7ESDE6327XTSA1Parameters
| 封装 | XFDFN-6-EP |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 25+ |
| 频率 | 50MHz~3.5GHz |
| 噪声系数 | 1dB |
| 工作电流 | 30mA |
| 分类 | RF放大器 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益 | 19.5dB |
| 工作电压 | 1.8V~4V |
BGB741L7ESDE6327XTSA1概述
The BGB741L7ESD is a high performance broadband low noise amplifier (LNA) MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) bipolar
BGB741L7ESDE6327XTSA1特性
- 本产品的频率响应范围为50MHz至3.5GHz， 能够覆盖多个射频应用频段。 其在1.5GHz测试频率下的增益为19.5dB， 这对于改善整体系统的信噪比（SNR）至关重要。 BGB741L7ESDE6327XTSA1 的噪声系数仅为1dB， 意味着在低噪声放大的场景下， 能够有效抑制不必要的噪声， 提高信号质量。
- 高增益与低噪声：使其成为新一代射频前端设计的理想选择。
- 广泛的频率范围：为多种频率应用提供灵活性， 从无线通信到短距离数据传输均能胜任。
- 高能效：在保证性能的同时， 能够有效提升系统的功耗管理， 为产品延长了使用寿命。
BGB741L7ESDE6327XTSA1应用领域
- 这款低噪声放大器可以广泛应用于多个领域
- 手机：提升信号接收能力， 增强通话清晰度与网络稳定性。
- 遥控钥匙（RKE）：在汽车等设备中的应用， 提升远程操控的可靠性。
- WiFi设备：提高无线通信的覆盖范围与速度， 改善用户的上网体验。