BGB707L7ESDE6327XTSA1
IC
XFDFN-6-EP
可供量大可议
BGB707L7ESDE6327XTSA1
BGB707L7ESD 是一款基于 Infineon Technologies 成本效益的 SiGe:C 技术的低噪声放大器 MMIC， 具有集成的 ESD 保护和主动偏置。 该设备像离散晶体管一样灵活， 具有高增益和减少的噪声系数。
品牌
Infineon
封装
XFDFN-6-EP
库存
1,337
货期
现货
BGB707L7ESDE6327XTSA1参数
| 封装 | XFDFN-6-EP |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益 | 27dB |
| 工作电压 | 1.8V~4V |
| P1dB | 4.4dBm |
| 功能特性 | 静电保护； 偏置控制电路； 低功耗模式 |
| 分类 | RF放大器 |
|---|---|
| 库存 | 1337 |
| 频率 | 150MHz~10GHz |
| 噪声系数 | 0.7dB |
| 工作电流 | 25mA |
| IP3 | 13.6dBm |
BGB707L7ESDE6327XTSA1概述
The BGB707L7ESD is a high performance low noise amplifier (LNA) MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) bipolar technology. • Satellite navigation systems (e. g. GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo) • Wireless communications: WLAN 2.4 GHz and 5-6 GHz bands, broadband LTE or WiMAX LNA • ISM applications like RKE and smart meter, as well as for emerging wireless applications such as
BGB707L7ESDE6327XTSA1特性
暂无产品特性。
BGB707L7ESDE6327XTSA1应用领域
暂无应用领域。