BGA 8U1BN6 E6327
IC
TSNP-6
可供量大可议
BGA 8U1BN6 E6327
是一款用于 LTE 的前端低噪声放大器, 覆盖 4.0 GHz 至 6.0 GHz 的宽频率范围。 在第 4 章所述的应用配置中, 该 LNA 在 4.5 mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 的增益和 1.6 dB 的噪声系数。 在旁路模式下, LNA 的插入损耗为 7.5 dB。 它基于 B7HF 硅锗技术, 工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V, 具有多状态控制(关断、旁路和高增益模式)。
品牌
Infineon
封装
TSNP-6
库存
58
货期
现货
BGA 8U1BN6 E6327参数
| 封装 | TSNP-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | RF放大器 |
|---|---|
| 库存 | 58 |
BGA 8U1BN6 E6327概述
是一款用于 LTE 的前端低噪声放大器, 覆盖 4.0 GHz 至 6.0 GHz 的宽频率范围。 在第 4 章所述的应用配置中, 该 LNA 在 4.5 mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 的增益和 1.6 dB 的噪声系数。 在旁路模式下, LNA 的插入损耗为 7.5 dB。 它基于 B7HF 硅锗技术, 工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V, 具有多状态控制(关断、旁路和高增益模式)。
BGA 8U1BN6 E6327特性
暂无产品特性。
BGA 8U1BN6 E6327应用领域
暂无应用领域。
