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BGA 8U1BN6 E6327
IC

TSNP-6

可供量大可议

BGA 8U1BN6 E6327

是一款用于 LTE 的前端低噪声放大器, 覆盖 4.0 GHz 至 6.0 GHz 的宽频率范围。 在第 4 章所述的应用配置中, 该 LNA 在 4.5 mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 的增益和 1.6 dB 的噪声系数。 在旁路模式下, LNA 的插入损耗为 7.5 dB。 它基于 B7HF 硅锗技术, 工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V, 具有多状态控制(关断、旁路和高增益模式)。

品牌

Infineon

封装

TSNP-6

库存

58

货期

现货

BGA 8U1BN6 E6327参数

封装TSNP-6
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类RF放大器
库存58

BGA 8U1BN6 E6327概述

是一款用于 LTE 的前端低噪声放大器, 覆盖 4.0 GHz 至 6.0 GHz 的宽频率范围。 在第 4 章所述的应用配置中, 该 LNA 在 4.5 mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 的增益和 1.6 dB 的噪声系数。 在旁路模式下, LNA 的插入损耗为 7.5 dB。 它基于 B7HF 硅锗技术, 工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V, 具有多状态控制(关断、旁路和高增益模式)。

BGA 8U1BN6 E6327特性

暂无产品特性。

BGA 8U1BN6 E6327应用领域

暂无应用领域。

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