BGA 7L1BN6 E6327
IC
TSNP-6
可供量大可议
BGA 7L1BN6 E6327
特性：插入功率增益：13.6 dB。 低噪声系数：0.75 dB。 低电流消耗：4.9 mA。 旁路模式下插入损耗：-2.2 dB。 工作频率：716-960 MHz。 双态控制：旁路和高增益模式。 电源电压：1.5 V至3.6 V。 数字开/关开关（1V逻辑高电平）。 超小TSNP-6-2无铅封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）。 B7HF硅锗技术。 RF输出内部匹配至60 Ω。 仅需1个外部SMD组件。 无铅（符合RoHS标准）封装
品牌
Infineon
封装
TSNP-6
库存
19
货期
现货
BGA 7L1BN6 E6327参数
| 封装 | TSNP-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | RF放大器 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
BGA 7L1BN6 E6327概述
特性：插入功率增益：13.6 dB。 低噪声系数：0.75 dB。 低电流消耗：4.9 mA。 旁路模式下插入损耗：-2.2 dB。 工作频率：716-960 MHz。 双态控制：旁路和高增益模式。 电源电压：1.5 V至3.6 V。 数字开/关开关（1V逻辑高电平）。 超小TSNP-6-2无铅封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）。 B7HF硅锗技术。 RF输出内部匹配至60 Ω。 仅需1个外部SMD组件。 无铅（符合RoHS标准）封装
BGA 7L1BN6 E6327特性
暂无产品特性。
BGA 7L1BN6 E6327应用领域
暂无应用领域。