库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
BGA 5H1BN6 E6327
IC

TSNP-6

可供量大可议

BGA 5H1BN6 E6327

BGA5H1BN6 是一款适用于LTE的前端低噪声放大器, 覆盖从2300 MHz到2690 MHz的宽频率范围。 在第4章描述的应用配置中, LNA提供18.1 dB增益和0.7 dB噪声系数, 电流消耗为8.5 mA。 在旁路模式下, LNA提供5.2 dB的插入损耗。 BGA5H1BN6基于英飞凌科技公司的B9HF硅锗技术。 它的工作电源电压范围是从1.5V到3.6V。 该器件具有单线两状态控制(旁路模式和高增益模式)。 通过断开VCC供电可以启用关闭状态。

品牌

Infineon

封装

TSNP-6

库存

80

货期

现货

BGA 5H1BN6 E6327参数

封装TSNP-6
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类RF放大器
库存80

BGA 5H1BN6 E6327概述

BGA5H1BN6 是一款适用于LTE的前端低噪声放大器, 覆盖从2300 MHz到2690 MHz的宽频率范围。 在第4章描述的应用配置中, LNA提供18.1 dB增益和0.7 dB噪声系数, 电流消耗为8.5 mA。 在旁路模式下, LNA提供5.2 dB的插入损耗。 BGA5H1BN6基于英飞凌科技公司的B9HF硅锗技术。 它的工作电源电压范围是从1.5V到3.6V。 该器件具有单线两状态控制(旁路模式和高增益模式)。 通过断开VCC供电可以启用关闭状态。

BGA 5H1BN6 E6327特性

暂无产品特性。

BGA 5H1BN6 E6327应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件

BGA 5H1BN6 E6327 Infineon | IC-CHIP B2B