BGA 5H1BN6 E6327
IC
TSNP-6
可供量大可议
BGA 5H1BN6 E6327
BGA5H1BN6 是一款适用于LTE的前端低噪声放大器, 覆盖从2300 MHz到2690 MHz的宽频率范围。 在第4章描述的应用配置中, LNA提供18.1 dB增益和0.7 dB噪声系数, 电流消耗为8.5 mA。 在旁路模式下, LNA提供5.2 dB的插入损耗。 BGA5H1BN6基于英飞凌科技公司的B9HF硅锗技术。 它的工作电源电压范围是从1.5V到3.6V。 该器件具有单线两状态控制(旁路模式和高增益模式)。 通过断开VCC供电可以启用关闭状态。
品牌
Infineon
封装
TSNP-6
库存
80
货期
现货
BGA 5H1BN6 E6327参数
| 封装 | TSNP-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | RF放大器 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
BGA 5H1BN6 E6327概述
BGA5H1BN6 是一款适用于LTE的前端低噪声放大器, 覆盖从2300 MHz到2690 MHz的宽频率范围。 在第4章描述的应用配置中, LNA提供18.1 dB增益和0.7 dB噪声系数, 电流消耗为8.5 mA。 在旁路模式下, LNA提供5.2 dB的插入损耗。 BGA5H1BN6基于英飞凌科技公司的B9HF硅锗技术。 它的工作电源电压范围是从1.5V到3.6V。 该器件具有单线两状态控制(旁路模式和高增益模式)。 通过断开VCC供电可以启用关闭状态。
BGA 5H1BN6 E6327特性
暂无产品特性。
BGA 5H1BN6 E6327应用领域
暂无应用领域。
