BFP640ESDH6327
IC
SOT343
可供量大可议
BFP640ESDH6327
Low Noise SiGe RF Transistor NPN SOT343
品牌
Infineon
封装
SOT343
库存
31,180
货期
现货
BFP640ESDH6327参数
| 封装 | SOT343 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 4.1V |
| 直流电流增益(hFE) | 110 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
| 数量 | 1个NPN |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 31,180 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 50mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 特征频率(fT) | 45GHz |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BFP640ESDH6327概述
Low Noise SiGe RF Transistor NPN SOT343
BFP640ESDH6327特性
暂无产品特性。
BFP640ESDH6327应用领域
暂无应用领域。