BESD7V0D5
IC
SOD-523
可供量大可议
BESD7V0D5
特性：200瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±15kV， 接触放电：±8kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
BORN
封装
SOD-523
库存
1,355
货期
现货
BESD7V0D5参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1355 |
BESD7V0D5概述
特性：200瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±15kV， 接触放电：±8kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
BESD7V0D5特性
暂无产品特性。
BESD7V0D5应用领域
暂无应用领域。