BESD3301P
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BESD3301P
特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
1,805
货期
现货
BESD3301P参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1805 |
BESD3301P概述
特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BESD3301P特性
暂无产品特性。
BESD3301P应用领域
暂无应用领域。