BESD0402G05V
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BESD0402G05V
特性：高速、低电压应用的最佳ESD保护。 RoHS合规且无卤。 超低电容， 0.05 pF（典型值）。 低泄漏电流(<10nA)。 快速响应时间(<1ns)。 双向单线路保护。 应用：智能手机/移动互联网设备。 笔记本电脑/台式电脑
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
13,640
货期
现货
BESD0402G05V参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 13640 |
BESD0402G05V概述
特性：高速、低电压应用的最佳ESD保护。 RoHS合规且无卤。 超低电容， 0.05 pF（典型值）。 低泄漏电流(<10nA)。 快速响应时间(<1ns)。 双向单线路保护。 应用：智能手机/移动互联网设备。 笔记本电脑/台式电脑
BESD0402G05V特性
暂无产品特性。
BESD0402G05V应用领域
暂无应用领域。