BES12NLA1
IC
DFN2x2-3L
可供量大可议
BES12NLA1
特性：5500W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条电源线。 应用：手机。 便携式电子设备
品牌
BORN
封装
DFN2x2-3L
库存
1,365
货期
现货
BES12NLA1参数
| 封装 | DFN2x2-3L |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1365 |
BES12NLA1概述
特性：5500W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条电源线。 应用：手机。 便携式电子设备
BES12NLA1特性
暂无产品特性。
BES12NLA1应用领域
暂无应用领域。