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BDX53B
IC

TO-220

可供量大可议

BDX53B

三极管(BJT) BDX53B

品牌

ST

封装

TO-220

库存

2,994

货期

现货

BDX53B参数

封装TO-220
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)60W
集射极饱和电压(VCE(sat))2V
射基极击穿电压(Vebo)5V
分类达林顿管
库存2,994
类型NPN
集电极电流(Ic)8A
集电极截止电流(Icbo)200uA
直流电流增益(hFE)750
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))2.5V

BDX53B概述

三极管(BJT) BDX53B

BDX53B特性

暂无产品特性。

BDX53B应用领域

暂无应用领域。

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