BDFN2A241V35
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BDFN2A241V35
特性：225瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触， ±30kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
7,920
货期
现货
BDFN2A241V35参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 7920 |
BDFN2A241V35概述
特性：225瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触， ±30kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
BDFN2A241V35特性
暂无产品特性。
BDFN2A241V35应用领域
暂无应用领域。