BDFN1C051V
IC
DFN0603-2
可供量大可议
BDFN1C051V
特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN0603-2
库存
10,320
货期
现货
BDFN1C051V参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10320 |
BDFN1C051V概述
特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BDFN1C051V特性
暂无产品特性。
BDFN1C051V应用领域
暂无应用领域。