BDFN1C051S
IC
DFN0603-2
可供量大可议
BDFN1C051S
特性：65W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN0603-2
库存
27
货期
现货
BDFN1C051S参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
BDFN1C051S概述
特性：65W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BDFN1C051S特性
暂无产品特性。
BDFN1C051S应用领域
暂无应用领域。