BDFN1510C052R
IC
DFN1510
可供量大可议
BDFN1510C052R
特性：80瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 电容：典型值0.25pF。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB 2.0和USB 3.0端口。 USB OTG
品牌
BORN
封装
DFN1510
库存
2,790
货期
现货
BDFN1510C052R参数
| 封装 | DFN1510 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2790 |
BDFN1510C052R概述
特性：80瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 电容：典型值0.25pF。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB 2.0和USB 3.0端口。 USB OTG
BDFN1510C052R特性
暂无产品特性。
BDFN1510C052R应用领域
暂无应用领域。