BD679A
IC
SOT-32-3
可供量大可议
BD679A
器件采用平面基岛技术制造， 具有单片达林顿结构。
品牌
ST
封装
SOT-32-3
库存
745
货期
现货
BD679A参数
| 封装 | SOT-32-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.8V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 745 |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 4A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 200uA |
| 直流电流增益(hFE) | 750 |
BD679A概述
达林顿管 BD679A
BD679A特性
暂无产品特性。
BD679A应用领域
暂无应用领域。