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BD3539FVM-TR
IC

MSOP-8-2.8mm

可供量大可议

BD3539FVM-TR

BD3539 是一种符合 JEDEC 对 DDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM 和 DDR3-SDRAM 要求的终端稳压器。 这种线性电源使用内置的 N 通道 MOSFET 和专门设计的高速运算放大器, 以提供出色的瞬态响应。 它具有高达 1A 的灌/拉电流能力, 并且需要 3.3V(适用于 DDR2 和 DDR3)和 5.0V(适用于 DDR1、DDR2 和 DDR3)的电源偏置来驱动 N 通道 MOSFET。 通过采用独立的参考电压输入(VDDQ)和反馈引脚(VTTS), 该终端稳压器提供了符合 JEDEC 标准要求的出色的输出电压精度和负载调节性能。 此外, BD3539 还具有用于 DDR-SDRAM 或内存控制器的参考电源输出(VREF)。 与变为“高阻”状态的 VTT 输出不同, 当 EN 输入变为“低”时, VREF 输出保持不变, 这使得该 IC 适合于 DDR-SDRAM 处于“自刷新”状态时使用。

品牌

ROHM

封装

MSOP-8-2.8mm

库存

20

货期

现货

BD3539FVM-TR参数

封装MSOP-8-2.8mm
品牌ROHM(罗姆)
MOQ / SPQ1 / 1
分类线性稳压器(LDO)
库存20

BD3539FVM-TR概述

BD3539 是一种符合 JEDEC 对 DDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM 和 DDR3-SDRAM 要求的终端稳压器。 这种线性电源使用内置的 N 通道 MOSFET 和专门设计的高速运算放大器, 以提供出色的瞬态响应。 它具有高达 1A 的灌/拉电流能力, 并且需要 3.3V(适用于 DDR2 和 DDR3)和 5.0V(适用于 DDR1、DDR2 和 DDR3)的电源偏置来驱动 N 通道 MOSFET。 通过采用独立的参考电压输入(VDDQ)和反馈引脚(VTTS), 该终端稳压器提供了符合 JEDEC 标准要求的出色的输出电压精度和负载调节性能。 此外, BD3539 还具有用于 DDR-SDRAM 或内存控制器的参考电源输出(VREF)。 与变为“高阻”状态的 VTT 输出不同, 当 EN 输入变为“低”时, VREF 输出保持不变, 这使得该 IC 适合于 DDR-SDRAM 处于“自刷新”状态时使用。

BD3539FVM-TR特性

暂无产品特性。

BD3539FVM-TR应用领域

暂无应用领域。

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