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BCW70-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BCW70-HXY

此款PNP型三极管(BJT)专为精细操作设计, 具有集电极电流IC为0.1A, 确保了在敏感应用中的精准控制。 其集电极-发射极电压VCEO高达45V, 使其能够适应较高的工作电压环境。 直流电流增益HFE范围为200至450, 保证了信号放大过程中的稳定性和效率。 特征频率FT达到100MHz, 适用于需要高速开关和响应的应用场景。 该三极管以其卓越的性能参数, 非常适合用于无线通信设备及各种精密电子仪器中, 实现信号的有效放大与处理。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

40

货期

现货

BCW70-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存40

BCW70-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)专为精细操作设计, 具有集电极电流IC为0.1A, 确保了在敏感应用中的精准控制。 其集电极-发射极电压VCEO高达45V, 使其能够适应较高的工作电压环境。 直流电流增益HFE范围为200至450, 保证了信号放大过程中的稳定性和效率。 特征频率FT达到100MHz, 适用于需要高速开关和响应的应用场景。 该三极管以其卓越的性能参数, 非常适合用于无线通信设备及各种精密电子仪器中, 实现信号的有效放大与处理。

BCW70-HXY特性

暂无产品特性。

BCW70-HXY应用领域

暂无应用领域。

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