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BCW66GLT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

BCW66GLT1G

三极管(BJT) 300mW 45V 800mA NPN

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

47,355

货期

现货

BCW66GLT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次两年内
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)45V
直流电流增益(hFE)50
集电极截止电流(Icbo)20nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存47,355
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)800mA
耗散功率(Pd)225mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))700mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

BCW66GLT1G概述

三极管(BJT) 300mW 45V 800mA NPN

BCW66GLT1G特性

暂无产品特性。

BCW66GLT1G应用领域

暂无应用领域。

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