BCV49,115-JSM
IC
SOT-89
可供量大可议
BCV49,115-JSM
类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：1.1W 集电极电流(Ic)：500mA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-89
库存
1,580
货期
现货
BCV49,115-JSM参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 1580 |
BCV49,115-JSM概述
类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：1.1W 集电极电流(Ic)：500mA
BCV49,115-JSM特性
暂无产品特性。
BCV49,115-JSM应用领域
暂无应用领域。